この記事の内容をまとめると… 危険な水素ガスや複雑な圧力制御を用いない作製法で電界効果移動度約90 cm2/V・sを達成 水酸化インジウムを原料に用いた非ガス法で水素添加酸化インジウム薄膜の成膜に成功 次世代ディスプレイ...