『トランジスタ』の記事一覧 : 26件

 物質・材料研究機構(NIMS)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点のMANA独立研究者である三成剛生氏のグループとコロイダル・インクからなる研究チームは2016年5月、線幅/線間1μmの解像度で金属配線および薄膜トランジ...

 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターは2016年5月、2Mビット容量のSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)*)で、高い歩留り率を維持しながら、従来よりメモリセル面積を30%縮小できる技術を開発...

 東京大学は2016年4月29日、同大学の染谷隆夫教授と大阪大学の関谷毅教授らの研究グループが、生体適合性ゲル電極を持つ柔軟な有機増幅回路シートの開発に成功したと発表した。これを用いることで、生体内で生体活動電位を長期間...

 東京大学の染谷隆夫教授、大阪大学の関谷毅教授らの研究グループは2016年4月、体内に埋め込んで微弱な生体活動電位の計測が可能な有機増幅回路シート(シート型生体電位センサー)を開発したと発表した。  有機増幅回路シートは...

 ナノテクロノジーを対象とするスペインの研究機関CIC NanoGUNEは、2016年4月26日、グラフェンの物性について世界初の成果を得たと発表した*1)。炭素原子1層の厚みを持つグラフェン膜(図1)に水素原子を吸着(...

 東京工業大学(東工大)工学院電気電子系の宮本恭幸教授らと理化学研究所、岡山大学による共同研究チームは2016年4月、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたMOSトランジスタを開発したと発表した。Hf...

 日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は2016年4月26日、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワー...

 産業技術総合研究所(産総研) 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター 物性機能数理設計手法開発チームの西尾憲吾主任研究員と、同研究センターの宮崎剛英副研究センター長は2016年4月、アモルファス材料などの不規...

 東北大学大学院工学研究科の吉住孝平博士前期課程学生(現在トヨタ)、好田誠准教授、新田淳作教授らの研究グループは2016年4月、スピン演算素子に必要な「永久スピンらせん状態」と「逆永久スピンらせん状態」間の電界制御に成功...

 NTTと東北大学は2016年3月、スピンの向きを長時間保持されるよう構造設計した化合物半導体量子井戸*1)を用い、外部電界による電子スピンの長距離輸送に成功したと発表した。 *1)半導体量子井戸:電子に対するポテンシャ...

 ホンダは2016年3月10日に発売した新型燃料電池車(FCV)にSiC(炭化ケイ素)を用いたパワーデバイスを搭載していることを明らかにした。量産車でのSiCパワーデバイスの搭載は「世界初」(ホンダ)としている。 新型F...

産業/自動車向けが市場をけん引  市場調査会社の矢野経済研究所は2016年2月、パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。調査結果によると、2015年のパワー半導体世界市場規模(推定値)は、前年比7.0%減の14...