2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30％縮小 (竹本達哉，[EE Times Japan])

　東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターは2016年5月、2Mビット容量のSTT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）＊）で、高い歩留り率を維持しながら、従来よりメモリセル面積を30％縮小できる技術を開発…

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