TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵 (馬本隆綱，[EE Times Japan])

　日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は2016年4月26日、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN（窒化ガリウム）FET（電界効果トランジスタ）とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワー…

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