北海道大学、水酸化インジウム原料・水素ガス不使用で移動度約90cm2/V・sのディスプレイ用TFT作製

研究グループは水酸化インジウムを原料として採用し、粉末をタブレット状に圧縮成形した上で、薄膜作製容器内の真空中で紫外線レーザーを照射して蒸発させ、対向位置の基板上に水素添加酸化インジウム薄膜を成膜した。これにより、従来必要だった複雑な圧力操作を行わずに薄膜中へ水素を導入できることを示した。
水素添加酸化インジウムTFTは、現在主流のIGZO-TFTに比べて約10倍の電界効果移動度が期待される一方、水素ガス法は爆発の危険があり安全性が課題であった。研究チームは2024年に非ガス法を示したが、当時は圧力制御が複雑だった。今回は水酸化インジウム原料の活用により工程を簡素化し、従来法と同等の水素量と特性を確保しつつ、電界効果移動度約90 cm2/V・sを達成した。