0.5nsで書き換え可能な不揮発性メモリの動作実証――IoT時代のマイコン実現へ大きく前進 (庄司智昭，[EE Times Japan])

SRAMと同等のランダムアクセスが可能に　東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授らは2016年6月、0.5ナノ秒での情報の書き換えが可能な不揮発性磁気メモリ素子の動作実証に成功したと発表した。今回開発した…

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