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熱抵抗を抑えた小型パッケージを採用した新型MOSFET ([EDN J...

2016/10/31 IT media

熱抵抗を抑えた小型パッケージを採用した新型MOSFET ([EDN Japan])

 インフィニオンテクノロジーズは2015年7月、バッテリー駆動回路、ブラシ付き/ブラシレスDC(BDLC)モータ駆動装置など、DC駆動回路向けの「StrongIRFET」MOSFETファミリを発表した。電動工具や電動自転車、ドローンなど、スペースに制約のあるアプリケーションで高い効率性を発揮するという。

熱抵抗を抑えた新パッケージを採用

 新型StrongIRFETデバイスは、両面冷却機構によって高い電力密度と熱性能を備えた、小型の「Medium Can DirectFET」パッケージを採用している。デバイスのゲートパッドをダイの角に移動させることでソースの接地面積が上昇し、標準的なDirectFETパッケージに比べてPCBへの熱抵抗が低く、効率化と同時に設計時の拡張性も向上したという。

MOSFETファミリ「StrongIRFET」

 StrongIRFETデバイスの電圧範囲は40〜75V。100%鉛フリーパッケージを採用し、RoHS指令に準拠している。低オン抵抗(RDSon)により、伝導損失を最小限に抑えて高い電流通過能力を発揮し、堅牢なシリコンによってシステムの信頼性を向上させた。


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