STT-MRAMでSRAM比1/10以下の消費電力を達成 (竹本達哉，[EE Times Japan])

　東芝と東京大学は2016年2月1日、コンピュータのキャッシュメモリとして使用できる高速性能を備えながら、SRAMに比べ消費電力を10分の1以下に抑えた容量4Mビット級のスピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ（以下、ST…

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